Transistor bipolar MMBT3906LT1G
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Transistor bipolar MMBT3906LT1G

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IVA incluido

Paquete / Cubierta: SOT-23-3

Número de parte: MMBT3906LT1G

Fabricante: Onsemi

Polaridad del transistor: NPN

Configuración: Single

Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 40 V

Tensión VCBO colector-base: 60 V

Voltaje VEBO emisor-base: 6 V

Voltaje de saturación colector-emisor: 300 mV

Corriente CC máxima de colector: 200 mA

Dp - Disipación de potencia : 310 mW

Producto para ganar Ancho de banda fT: 300 MHz

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Serie: MMBT3904

Empaquetado: Reel

Empaquetado: Cut Tape

Empaquetado: MouseReel

Marca: Diodes Incorporated

Corriente continua del colector: 200 mA

Máx. ganancia de CC hFE: 300

Altura: 1 mm

Longitud: 3.05 mm

Ancho: 1.4 mm

Peso de la unidad: 8 mg

Polaridad del transistor:: 4.7 kOhms
Cantidad

  Política de seguridad

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  Política de entrega

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  Política de devolución

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V NPN SS Trans 60Vceo 6Vebo 200mA

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